鈮酸鋰晶體有兩個(gè)特點(diǎn)尤為引人重視，一是鈮酸鋰晶體光電效應(yīng)多，具有包含壓電效應(yīng)、電光效應(yīng)、非線性光學(xué)效應(yīng)、光折變效應(yīng)、光生伏打效應(yīng)、光彈效應(yīng)、聲光效應(yīng)等多種光電功能；二是鈮酸鋰晶體的功能可調(diào)控性強(qiáng)，這是由鈮酸鋰晶體的晶格結(jié)構(gòu)和豐富的缺點(diǎn)結(jié)構(gòu)所造成，鈮酸鋰晶體的許多功能可以通過(guò)晶體組分、元素?fù)诫s、價(jià)態(tài)操控等進(jìn)行大幅度調(diào)控。

　　別的鈮酸鋰晶體的物理化學(xué)功能適當(dāng)穩(wěn)定，易于加工，光透過(guò)規(guī)模寬，具有較大的雙折射，并且簡(jiǎn)單制備高質(zhì)量的光波導(dǎo)，所以根據(jù)鈮酸鋰晶體的光調(diào)制器在長(zhǎng)距離通信中有著無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)——不只具有很小的啁啾(chirp)效應(yīng)、高調(diào)制帶寬、杰出消光比，并且穩(wěn)定性恰當(dāng)優(yōu)勝，是高速器件中佼佼者，因而被廣泛使用于高速高帶寬的長(zhǎng)距離通信中。

　　同成分鈮酸鋰晶體：

　　關(guān)于同成分鈮酸鋰晶體而言，其制備首要選用提拉法。雖然泡生法、導(dǎo)模法、溫梯法等方法也曾用來(lái)進(jìn)行鈮酸鋰晶體的制備，可是與提拉法相比并沒(méi)有顯著的優(yōu)勢(shì)或具有明晰的使用需求，因而并未得到廣泛的重視。

　　近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體：

　　近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體雖然具備許多優(yōu)秀的光電功能，可是其配比偏離固液同成分共熔點(diǎn)，無(wú)法選用常規(guī)的提拉法成長(zhǎng)高質(zhì)量的晶體，現(xiàn)在首要選用的制備方法有富鋰熔體法、助熔劑法、分散法。

　　鈮酸鋰單晶薄膜：

　　鈮酸鋰單晶薄膜能夠使用在光波導(dǎo)、聲學(xué)器件等微納結(jié)構(gòu)以及制備硅基等混合集成器件等方面，人們很早就開(kāi)端探究鈮酸鋰單晶薄膜的制備，不過(guò)真實(shí)得到使用的方法只要“離子切片”(IonSlicing)技術(shù)，現(xiàn)在已經(jīng)完成了商品化，能夠供應(yīng)厚度為300~900 nm的單晶薄膜產(chǎn)品。